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IXFR 102N30P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
ISOPLUS247 Outline
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V DS = 10 V; I D = 51 A, pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 51 A
R G = 3.3 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 51 A
45
57
7500
1150
230
30
28
130
30
224
50
110
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
R thJC
0.5 ° C/W
R thCS
0.15
° C/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
102
250
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 25 A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100 V, V GS = 0 V
0.8
7
200 ns
μ C
Α
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6771478 B2
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